irf630s（IRF630的基本参数）

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1、IRF630编辑本段基本参数：晶体管极性：N漏极电流,Id最大值：9A电压,Vds最大：200V开态电阻,Rds(on)：0.4ohm电压@Rds测量：10V电压,Vgs最高：3V功耗：100W封装类型：TO-220针脚数：3功率,Pd：100W封装类型,替代：SOT-78B引脚节距：2.54mm时间,trr典型值：170ns晶体管数：1晶体管类型：MOSFET满功率温度：25°C电容值,Ciss典型值：540pF电流,Idm脉冲：36A表面安装器件：通孔安装针脚格式：1G2+插口D3S阈值电压,Vgsth最低：2V阈值电压,Vgsth最高：4V。

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